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内存时序是什么?时序对内存性能影响有多大呢?

2020年07月31日 15:20 次阅读

内存时序和内存频率一样,都代表了一款内存性能的高低。

内存时序由4个数字组成,中间用破折号隔开,例如16-18-18-38

这些数字表示延迟,也就是内存的反应时间。当内存接收到CPU发来的指令后,通常需要几个时钟周期来处理它,比如访问某一块数据。所以,时间越短,内存性能越好。

频率和时序一起,共同决定了内存可以跑得多快。不过相比频率,时序由四位数字组成,每一个数字都代表不同的含义,在理解上自然更加复杂一些。

内存时序分别对应的参数为“CL-tRCD-tRP-tRAS”,单位为时间周期,它们的含义依次为:

CL(CAS Latency):列地址访问的延迟时间,是时序中最重要的参数。

tRCD(RAS to CAS Delay):内存行地址传输到列地址的延迟时间;

tRP(RAS Precharge Time):内存行地址选通脉冲预充电时间;

tRAS(RAS AcTIve TIme):行地址激活的时间。

看完它们的含义是不是很懵圈?没关系,给你举个例子。

我们可以把内存存储数据的地方想象成上面这样,每个方格都存储着不同的数据。CPU需要什么数据,就向内存发来指令,比如想要的位置是C4。

接下来内存就要先确定数据具体在哪一行,所以时序的第二个参数tRCD就是代表这个时间,意思就是内存控制器接收到行的指令后,需要等待多长时间才能访问这一行。

由于这一行含有多个数据,内存并不能哪一个才是CPU需要找的,所以tRCD的值是一个估值。这就是为什么小幅改动这个值并不会影响内存的性能表现。

内存确定了行之后,要想找出数据,还得确定列。那么时序的第一个数字,也就是CL(CAS),表示内存确定了行数之后,还得等待多长时间才能访问具体列数的时间(时间周期)。

行列必然产生交点,也就是说确定了行数和列数之后,就能准确找到目标数据,所以CL是一个准确的值,任何改动都会影响目标数据的位置,所以它在时序当中是最关键的一个参数,对内存性能的发挥着举足轻重的作用。

内存时序的第三个参数tRP,就是如果我们已经确定了一行,还要再确定另外一行所需要等待的时间(时间周期)。

然后第四个参数tRAS,可以简单理解成是留个内存写入或者读取数据的一个时间,它一般接近于前三个参数的总和。

所以,在保障稳定性的前提下,内存时序越低越好。

那么,时序对内存性能影响有多大呢?

我们做了一个测试,在保持内存频率不变的情况下,内存性能随着时序的变小而不断变强。

不过相比之下,时序改变后,内存延迟的变化比内存读写速度的变化更加明显,这也说明了时序的影响侧重在延迟方面。

现在,关于时序,你搞懂了吗?

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