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Microchip最新Wi-Fi MCU模块,首推Trust&Go技术,主打IIoT市场

芯链 2020-10-16 10:32 次阅读

电子发烧友网报道(文/黄晶晶)美国微芯科技公司Microchip近日推出业内首款Wi-Fi单片机模块。该模块采用Microchip的Trust&Go技术,能实现独特的身份验证功能。这款型号为WFI32E01PC的Wi-Fi MCU模块基于PIC32 单片机内核,拥有丰富的外设支持和成熟的硬件安全平台。新技术不仅能提供Wi-Fi,还能充当整个工业互联网系统的强大单片机内核。

基于MIPS内核,工作频率200MHz,丰富的外设

WFI32E01PC Wi-Fi MCU模块拥有快速高效的MIPS内核,200MHz频率,高于市面上同类产品,EEMBC CoreMark得分为710,这是获得广泛认可的单片机核心性能基准。
 
大量可用的GPIO,丰富的外设包括以太网CAN/CAN-FD、USB、CVD Touch。继承了Microchip在触摸按纽功能方面的领先优势。
 
此外,出色的模拟性能,包括精确、高度线性的双通道12位ADC,可重复的ADC性能,受温度变化影响最小。针对不同的干扰、温度变化仍然具有相对稳定的性能,这样的ADC特性尤其在工业传感器及其他工业应用上至关重要。
 
它也同时延续了Microchip一些传统优势,例如卓越的产品质量、支持工具和服务。

引入Trust&Go技术,支持WPA3连接,安全性高

物联网设备连接到云端时需要遵守Wi-Fi连接安全协议,通常是WPA2,这款模块支持WPA3连接,这是新的Wi-Fi认证安全标准,WPA3相较于WPA2拥有更加稳健的身份验证以防止离线攻击等特性。

 
Microchip无线解决方案部产品线经理Alex Li解析,当设备连接到本地Wi-Fi并接通互联网时需要增强型TLS连接,这个连接具有三个要素:一是不可变更的公共密钥,二是隐性私密的密钥,任何外部软件不可看到这个密钥,三是唯一可验证以及可信任的设备标识。
 
这三个要素在这款模组的Trust&Go硬件加密单元都会提供。并且该模组已经涵盖设备标识和加密认证,预设在亚马逊云、谷歌云和微软Azure上面。

一个Wi-Fi+MCU模组搞定,无需外搭主MCU

Wi-Fi MCU在智能家居、工业物联网等领域广泛应用,但往往单个模组功能有限,需要额外搭配主单片机进行工作,它们之间再通过SPI或UART接口协议连接。
 

 
Alex分析,这样的设计面临一些挑战,首先Wi-Fi模块和主单片机之间的连接本身限制了Wi-Fi的速度。尤其是很多设计使用UART,好处是简单,但速度有限。
 
其次,这两个结构会增加设计和生产过程的复杂度和风险。客户需要花更多时间进行驱动程序开发,并学习使用不同的软件开发工具。另外,不同生产商的生产进度不一致,供货保障不一,从而产生供应链风险。
 
此外,还需要多个技术支持。而网络安全方面,主单片机与互联网连接的相关安全密钥和身份认证储存在闪存内,网络攻击通过闪存将物联网设备所需的一切认证,复制到自己的设备上,然后冒充该产品连接到云端,这是一个很大的安全漏洞。
 
基于以上考虑,WFI32E01PC可以单个Wi-Fi MCU模块,代替Wi-Fi MCU再加主MCU的方案,更简洁更安全。

软件工具及未来产品规划


 
Microchip为客户提供无代码的Wi-Fi局域网开发框架,方便客户在其开发环境上填写参数和进行简单的选项设置即可实现Wi-Fi连接。提供丰富的示例应用,软件SDK上提供所有MCU驱动,软件库还提供其他外围产品的驱动,是一整套系统解决方案。以上可令用户开发简单。
 
软件库还具有强大的功能,提供无线局域网具有的先进Wi-Fi功能和各种类型的网络协议栈。以及提供Wi-Fi互操作性测试。Microchip已经跟53个市面上很受欢迎的路由器做过测试,并且涵盖了非常广范围的Wi-Fi的access point芯片。
 
技术支持方面,Microchip提供MPLAB开发环境和MPLAB Harmony软件工具,包括软件库、驱动以及示例程序。还提供专业的调试工具,例如ICD3、ICD4、SNAP。帮助客户进行射频信号测试和产品的合规性测试。以及帮助客户调试触摸按钮等外设的性能。

目前这款模组还不支持Wi-Fi 6,不过,Alex表示,Microchip已经在研发之中,并已有清晰的计划支持Wi-Fi 6。随着物联网从家庭自动化领域拓展到如供暖、通风与空调(HVAC)、车库门和电风扇等家庭控制领域,以及在建筑和工业自动化领域的加速应用,市场对高度集成、可靠和安全的工业物联网(IIoT)连接性的需求前所未有地增加。除工业应用外,WFI32E01PC还适用于家庭自动化设备、计算和消费产品。
 

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TP5335 MOSFET,P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE,-350V,30 Ohm

TP2535 MOSFET,P-CHANNEL增强型,-350V,25欧姆

信息 这种低阈值,增强型(常关)晶体管采用垂直DMOS结构和经过验证的硅栅极制造工艺。这种组合产生的器件具有双极晶体管的功率处理能力以及MOS器件固有的高输入阻抗和正温度系数。该器件具有所有MOS结构的特性,不受热失控和热致二次击穿的影响。垂直DMOS FET非常适用于极低阈值电压,高击穿电压,高输入阻抗,低电压的各种开关和放大应用需要输入电容和快速切换速度。 低阈值(最高-2.4V) 高阻抗 低输入电容(典型值为60pF) 快速切换速度 低导通电阻 ;免于二次故障 低输入和输出泄漏 电路图、引脚图和封装图...
发表于 04-18 20:04 46次 阅读
TP2535 MOSFET,P-CHANNEL增强型,-350V,25欧姆

TP2635 MOSFET,P-CHANNEL增强型,-350V,15欧姆

信息 这种低阈值,增强型(常关)晶体管采用垂直DMOS结构和经过验证的硅栅极制造工艺。这种组合产生的器件具有双极晶体管的功率处理能力以及MOS器件固有的高输入阻抗和正温度系数。该器件具有所有MOS结构的特性,不受热失控和热致二次击穿的影响。垂直DMOS FET非常适用于极低阈值电压,高击穿电压,高输入阻抗,低电压的各种开关和放大应用需要输入电容和快速切换速度。 低阈值(最高-2.0V) 高阻抗 低输入电容 快速切换速度 低导通电阻 免于中学故障 低输入和输出泄漏 电路图、引脚图和封装图...
发表于 04-18 20:04 50次 阅读
TP2635 MOSFET,P-CHANNEL增强型,-350V,15欧姆

TP2520 MOSFET,P-CHANNEL增强型,-200V,12欧姆

信息 这种低阈值增强模式(常关)晶体管采用垂直DMOS结构和经过验证的硅栅极制造工艺。这种组合产生的器件具有双极晶体管的功率处理能力,并具有MOS器件固有的高输入阻抗和正温度系数。该器件具有所有MOS结构的特性,不受热失控和热致二次击穿的影响。垂直DMOS FET非常适用于需要极低阈值电压,高击穿电压,高输入阻抗,低输入电容和快速开关速度的各种开关和放大应用。 ;低阈值(最高-2.4V) 高阻抗 低输入电容(最大125pF) &nbsp ; 快速切换速度 低导通电阻 免于二次故障 低输入和输出泄漏 电路图、引脚图和封装图...
发表于 04-18 20:03 43次 阅读
TP2520 MOSFET,P-CHANNEL增强型,-200V,12欧姆

TP2522 MOSFET,P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE,-220V,12 Ohm

信息 这种低阈值增强模式(常关)晶体管采用垂直DMOS结构和经过验证的硅栅极制造工艺。这种组合产生的器件具有双极晶体管的功率处理能力,并具有MOS器件固有的高输入阻抗和正温度系数。该器件具有所有MOS结构的特性,不受热失控和热致二次击穿的影响。垂直DMOS FET非常适用于需要极低阈值电压,高击穿电压,高输入阻抗,低输入电容和快速开关速度的各种开关和放大应用。 ;低阈值(最高-2.4V) 高阻抗 低输入电容(最大125pF) &nbsp ; 快速切换速度 低导通电阻 免于二次故障 低输入和输出泄漏 电路图、引脚图和封装图...
发表于 04-18 20:03 55次 阅读
TP2522 MOSFET,P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE,-220V,12 Ohm

TP2424 MOSFET,P-CHANNEL增强型,-240V,8欧姆

信息 这种低阈值增强模式(常关)晶体管采用垂直DMOS结构和经过验证的硅栅极制造工艺。这种组合产生的器件具有双极晶体管的功率处理能力,并具有MOS器件固有的高输入阻抗和正温度系数。该器件具有所有MOS结构的特性,不受热失控和热致二次击穿的影响。垂直DMOS FET非常适用于需要极低阈值电压,高击穿电压,高输入阻抗,低输入电容和快速开关速度的各种开关和放大应用。 ;低阈值 高输入阻抗 低输入电容 快速切换速度 免于二次故障 低输入和输出泄漏 电路图、引脚图和封装图...
发表于 04-18 20:03 50次 阅读
TP2424 MOSFET,P-CHANNEL增强型,-240V,8欧姆

TP2510 MOSFET,P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE,-100V,3.5 Ohm

信息 这种低阈值增强模式(常关)晶体管采用垂直DMOS结构和经过验证的硅栅极制造工艺。这种组合产生的器件具有双极晶体管的功率处理能力,并具有MOS器件固有的高输入阻抗和正温度系数。该器件具有所有MOS结构的特性,不受热失控和热致二次击穿的影响。垂直DMOS FET非常适用于需要极低阈值电压,高击穿电压,高输入阻抗,低输入电容和快速开关速度的各种开关和放大应用。 ;低阈值(最高-2.4V) 高阻抗 低输入电容(最大125pF) &nbsp ; 快速切换速度 低导通电阻 免于二次故障 低输入和输出泄漏 电路图、引脚图和封装图...
发表于 04-18 20:03 30次 阅读
TP2510 MOSFET,P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE,-100V,3.5 Ohm

TP2104 MOSFET,P-CHANNEL增强型,-40V,6.0欧姆

信息 这种低阈值,增强型(常关)晶体管采用垂直DMOS结构和经过验证的硅栅极制造工艺。这种组合产生的器件具有双极晶体管的功率处理能力以及MOS器件固有的高输入阻抗和正温度系数。该器件具有所有MOS结构的特性,不受热失控和热致二次击穿的影响。垂直DMOS FET非常适用于极低阈值电压,高击穿电压,高输入阻抗,低电压的各种开关和放大应用需要输入电容和快速切换速度。 高输入阻抗和高增益 低功率驱动要求 &nbsp ; 易于并联 低CISS和快速切换速度 卓越的热稳定性 整体来源 - 二极管 免于二次故障 电路图、引脚图和封装图...
发表于 04-18 20:03 60次 阅读
TP2104 MOSFET,P-CHANNEL增强型,-40V,6.0欧姆

TP2435 MOSFET,P-CHANNEL增强型,-350V,15欧姆

信息 这种低阈值增强模式(常关)晶体管采用垂直DMOS结构和经过验证的硅栅极制造工艺。这种组合产生的器件具有双极晶体管的功率处理能力,并具有MOS器件固有的高输入阻抗和正温度系数。该器件具有所有MOS结构的特性,不受热失控和热致二次击穿的影响。垂直DMOS FET非常适用于需要极低阈值电压,高击穿电压,高输入阻抗,低输入电容和快速开关速度的各种开关和放大应用。 ;低阈值 高输入阻抗 低输入电容 快速切换速度 免于二次故障 低输入和输出泄漏 电路图、引脚图和封装图...
发表于 04-18 20:03 80次 阅读
TP2435 MOSFET,P-CHANNEL增强型,-350V,15欧姆

TP0620 MOSFET,P-CHANNEL增强型,-200V,12欧姆

信息 这种低阈值,增强型(常关)晶体管采用垂直DMOS结构和经过验证的硅栅极制造工艺。这种组合产生的器件具有双极晶体管的功率处理能力以及MOS器件固有的高输入阻抗和正温度系数。该器件具有所有MOS结构的特性,不受热失控和热致二次击穿的影响。垂直DMOS FET非常适用于极低阈值电压,高击穿电压,高输入阻抗,低电压的各种开关和放大应用需要输入电容和快速切换速度。 低阈值(最高-2.4V) 高阻抗 低输入电容(典型值为85pF) 快速切换速度 低导通电阻 ;免于二次故障 低输入和输出泄漏 电路图、引脚图和封装图...
发表于 04-18 20:03 72次 阅读
TP0620 MOSFET,P-CHANNEL增强型,-200V,12欧姆

TP2502 MOSFET,P-CHANNEL增强型,-20V,2.0欧姆

信息 这种低阈值增强模式(常关)晶体管采用垂直DMOS结构和经过验证的硅栅极制造工艺。这种组合产生的器件具有双极晶体管的功率处理能力,并具有MOS器件固有的高输入阻抗和正温度系数。该器件具有所有MOS结构的特性,不受热失控和热致二次击穿的影响。垂直DMOS FET非常适用于需要极低阈值电压,高击穿电压,高输入阻抗,低输入电容和快速开关速度的各种开关和放大应用。 ;低阈值(最高-2.4V) 高阻抗 低输入电容(最大125pF) &nbsp ; 快速切换速度 低导通电阻 免于二次故障 低输入和输出泄漏 电路图、引脚图和封装图...
发表于 04-18 20:03 74次 阅读
TP2502 MOSFET,P-CHANNEL增强型,-20V,2.0欧姆

TP0604 MOSFET,P-CHANNEL增强型,-40V,2.0欧姆

信息 这种低阈值,增强型(常关)晶体管采用垂直DMOS结构和经过验证的硅栅极制造工艺。这种组合产生的器件具有双极晶体管的功率处理能力以及MOS器件固有的高输入阻抗和正温度系数。该器件具有所有MOS结构的特性,不受热失控和热致二次击穿的影响。垂直DMOS FET非常适用于极低阈值电压,高击穿电压,高输入阻抗,低电压的各种开关和放大应用需要输入电容和快速切换速度。 低阈值(最高-2.4V) 高阻抗 低输入电容(典型值95pF) 快速切换速度 低导通电阻 ;免于二次故障 低输入和输出泄漏 电路图、引脚图和封装图...
发表于 04-18 20:03 222次 阅读
TP0604 MOSFET,P-CHANNEL增强型,-40V,2.0欧姆

TC1321 TC1321是一个可串行访问的10位电压输出数模转换器(DAC)。 DAC产生的输出电压范围为群

信息 TC1321是一个可串行访问的10位电压输出数模转换器(DAC)。 DAC产生的输出电压范围从地到外部提供的参考电压。它采用2.7V至5.5V的单电源供电,非常适合各种应用。内置于器件中的是上电复位功能,可确保器件在已知条件下启动。与TC1321的通信通过简单的2线SMBus / I2C™兼容串行端口实现,TC1321仅作为从机设备。主机可以使能CONFIG寄存器中的SHDN位来激活低功耗待机模式。 10位数模转换器 2.7 -5.5V单电源供电。 简单SMBus / I 2 C串行接口 低功耗 - 0.35mA工作,0.5μA关断。< / p> Monotonicity Ensured。 电路图、引脚图和封装图...
发表于 04-18 20:02 150次 阅读
TC1321 TC1321是一个可串行访问的10位电压输出数模转换器(DAC)。 DAC产生的输出电压范围为群

TC1320 TC1320是一个串行可访问的8位电压输出数模转换器(DAC)。 DAC产生的输出电压范围为地面

信息 TC1320是一个串行可访问的8位电压输出数模转换器(DAC)。 DAC产生的输出电压范围从地到外部提供的参考电压。它采用2.7V至5.5V的单电源供电,非常适合各种应用。内置于器件中的是上电复位功能,可确保器件在已知条件下启动。通过简单的2线SMBus / I2C™兼容串行端口与TC1320进行通信,TC1320仅作为从机设备。主机可以使能CONFIG寄存器中的SHDN位来激活低功耗待机模式。 8位数模转换器 2.7 -5.5V单电源供电 简单SMBus / I 2 C串行接口 低功耗 - 0.35mA工作,0.5μA关断 8引脚SOIC和8引脚MSOP封装 电路图、引脚图和封装图...
发表于 04-18 20:02 112次 阅读
TC1320 TC1320是一个串行可访问的8位电压输出数模转换器(DAC)。 DAC产生的输出电压范围为地面

TC7650 TC7650 CMOS斩波稳定运算放大器实际上消除了系统误差计算中的偏移电压误差项。 5V最大值

信息 TC7650 CMOS斩波稳定运算放大器实际上消除了系统误差计算中的偏移电压误差项。例如,5uV最大VOS规格比行业标准OP07E提高了15倍。 50 nV /°C偏移漂移规格比OP07E低25倍以上。性能的提高消除了VOS修整程序,周期性电位器调整以及修剪器损坏引起的可靠性问题。无需额外的制造复杂性和激光或“齐纳击穿”VOS微调技术所带来的成本,即可实现TC7650的性能优势。 TC7650归零方案通过温度校正DC VOS误差和VOS漂移误差。归零放大器交替校正其自身的VOS误差和主放大器VOS误差。失调归零电压存储在两个用户提供的外部电容上。电容连接到内部放大器VOS零点。主放大器输入信号从不切换。 TC7650输出端不存在开关尖峰。 14引脚双列直插式封装(DIP)具有外部振荡器输入,用于驱动归零电路以获得最佳噪声性能。 8引脚和14引脚DIP均具有输出电压钳位电路,可最大限度地减少过载恢复时间。 低偏移和偏移漂移的零漂移架构 ;低偏移,5uV(最大) 低偏移漂移,50nV /°C 宽工作电压范围,4.5V至16V 单一和拆分供应 No 1 / f Noise 电路图、引脚图和封装图...
发表于 04-18 19:07 140次 阅读
TC7650 TC7650 CMOS斩波稳定运算放大器实际上消除了系统误差计算中的偏移电压误差项。 5V最大值

TC7652 400 kHz,单零漂移运算放大器

信息 TC7652是TC7650的低噪声版本,牺牲了一些输入规格(偏置电流和带宽)以实现噪声降低10倍。存在斩波技术的所有其他益处,即,不受外部调整部件的偏移调整,漂移和可靠性问题的影响。与TC7650一样,TC7652仅需要两个非关键的外部电容来存储斩波的零电位。没有明显的斩波峰值,内部影响或超量程锁定问题。 漂移操作电压:5到16 单一和分离供应 低噪音 电路图、引脚图和封装图...
发表于 04-18 19:07 159次 阅读
TC7652 400 kHz,单零漂移运算放大器
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